国产EUV光刻胶标准拟立项 8家公司在EUV开发！资金已爆买1亿股

文章图片

文章图片

文章图片

文章图片

文章图片

文章图片

文章图片

文章图片

文章图片

兄弟们！又出大事了！
这次事情太大了，事关过程光刻胶取得了重大的突破
国产最先进的光刻胶——EUV光刻胶来了
10月27日消息，我国首个EUV光刻胶标准——《极紫外（EUV）光刻胶测试方法》作为拟立项标准。

EUV光刻胶是最先进的光刻胶，主要应用于7nm及以下制程的集成电路制造，是实现先进逻辑芯片、高端存储芯片等微小化、高性能芯片生产的不可或缺的材料。
【国产EUV光刻胶标准拟立项8家公司在EUV开发！资金已爆买1亿股】值得注意的是，随着AI发展对先进制程芯片的需求进一步加大， EUV光刻技术已成为7 nm及以下节点的唯一量产方案。当前， EUV光刻胶完全被国外先进半导体材料公司所垄断（JSR、东京应化等占据超过95%全球市场份额），国产化率为零，国内的研发也仍处于起步阶段，亟需突破材料自主化与标准化壁垒。
我国首个EUV光刻胶标准的制定，具有重要的现实意义。该标准的制定不仅能够填补国内在该领域的技术标准空白，更将通过建立统一的测试方法体系，为国内外EUV光刻胶的性能评价提供客观标尺。同时，将有利于加快我国在这一领域的突破。
尽管当前我国在EUV光刻胶领域国产化为零，但近期已经在这一领域不断取得技术突破。
根据媒体的报道，北京大学化学与分子工程学院彭海琳教授团队及合作者通过冷冻电子断层扫描技术，首次在原位状态下解析了光刻胶分子在液相环境中的微观三维结构、界面分布与缠结行为，指导开发出可显著减少光刻缺陷的产业化方案。相关论文近日刊发于《自然·通讯》。

10月16日，南开大学现代光学研究所发布消息，其研究团队在氧化钛团簇光刻材料领域取得重要进展，成功实现原本光刻惰性的钛氧簇表现出纳米图案化应用，并最终制备出12.9纳米高分辨负性光刻图案，为继续发展钛氧簇基EUV光刻胶奠定基础。
7月28日，清华大学发布消息称，该校化学系许华平教授团队在极紫外（EUV）光刻材料上取得重要进展，开发出一种基于聚碲氧烷的新型光刻胶，为先进半导体制造中的关键材料提供了新的设计策略。

从下游应用来看，分为PCB、LCD/OLED面板和半导体光刻胶，其中半导体光刻胶壁垒最高，市场增速高于整体光刻胶市场增。半导体光刻胶中又分为g/i线、KrF、ArF、EUV等。在国产化方面，在KrF不足5% ， ArF不足1% ， EUV几乎为零。

尽管我国在高端的KrF、ArF、EUV等高端光刻胶领域国产化比较低，但在关键技术领域已经实现突破，部分公司已经在光刻胶领域实现全领域覆盖。
目前，我国光刻胶的企业在上述五大光刻胶领域都取得了重大进展，特别是目前急需的高端ArF光刻胶，部分企业产品已经量产或给核心公司送样检测。
这次光刻胶的新突破，有望进一步加速我国高端光刻胶的国产替代。那么，国产高端光刻机中，有哪些公司能够生产ArF高端光刻胶的，对EUV光刻胶有技术研究呢？
经过笔者深度挖掘上市公司公告和梳理券商研报，目前能够量产或产品送样ArF光刻胶或对EUV光刻胶有研究的公司仅有8家。现在梳理出来供大家参考学习。
特别声明：本内容严格限定于学术研究、研讨范畴使用，不构成、亦不隐含任何投资建议、投资引导及投资承诺，请勿作为投资依据。